中国科学院(CAS)中国科学技术大学(USTC)的一个团队通过确定和解决高亮度下效率损失的根本原因,解决了纯红色过氧化物发光二极管(PeLED)中的一个关键难题。
他们的研究报告发表在《自然》杂志上,介绍了一种新型材料设计,该设计实现了破纪录的器件性能,达到了24.2% 的峰值外部量子效率 (EQE),最大亮度为 24,600 cd m-2,是迄今为止报道的最亮的纯红色 PeLED。

纯红光 PeLED 对于生动显示和照明至关重要,但长期以来一直面临着效率和亮度之间的权衡问题。虽然 CsPbI3-xBrx 等三维混合卤化物钙钛矿材料具有优异的电荷传输性能,但由于载流子泄漏问题无法解决,它们在大电流下的效率会急剧下降。
由姚宏斌教授、范凤佳教授、林跃教授和胡伟教授领导的研究小组利用自主开发的诊断工具--电激发瞬态吸收(EETA)光谱,捕捉了运行器件中的实时载流子动态。他们发现,空穴漏入电子传输层--之前由于缺乏原位表征方法而未被发现--是导致效率下降的罪魁祸首。


为了解决这个问题,研究人员在过氧化物发光体中设计了一种三维粒内异质结构。这种设计在连续的[PbX6]4-框架中嵌入了窄带隙发光区,并由限制载流子的宽带隙壁垒隔开。
该策略的关键是对甲苯磺酰基-L-精氨酸(PTLA)分子,它通过多个官能团(胍基、羧基、氨基和磺酰基)与钙钛矿晶格紧密结合。
PTLA 局部扩展了晶格,在不破坏结构连续性的情况下产生了宽带隙相。高分辨率透射电子显微镜 (TEM)和超快光谱分析证实了异质结构各相之间无缝的载流子传输,并抑制了空穴泄漏。

优化后的PeLED 表现出前所未有的性能:在 22,670 cd m-2 的亮度下(接近峰值亮度的90%),外部量子效率 EQE 保持在 10.5%,远远超过了之前的记录。稳定性测试显示,在 100 cd m-2 的条件下,半衰期为127 小时,运行期间光谱偏移极小。
研究团队将这一成功归功于异质结构的双重作用:将空穴限制在发射器中,同时通过不间断的3D晶格保持高载流子迁移率。
这项研究将先进的诊断技术与创新的材料工程相结合,填补了包晶体光电子学领域的一个关键空白。评论家们称赞这项研究是“钙钛矿 LED 研究的里程碑”,强调其方法的严谨性和成果的变革性。