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该产品为L-S波段上变频模块，其内部内部集成放大器、混频器、数控衰减器、温补衰减器、驱动器等芯片，具有集成度高、体积小、重量轻、气密性好、可靠性高等特点。产品为陶瓷封装，使用时采用常规锡焊工艺。 可根据客户要求定制。 |
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| 产品特点 | 典型应用 | ||||||
| • 细步进 | • 航空 | ||||||
| • 低相噪 | • 机载 | ||||||
| • 低杂散 |
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| • 体积小 | |||||||
| • 气密性好 | |||||||
| • 可靠性高 | |||||||
| 电性能参数（TA=+25℃，Vdd=+5V，Vee=-5V） | |||||||
| 参数名称 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | |||
| 中频输入频率 | MHz | 175 | - | 575 | |||
| 射频输出频率 | GHz | 2.X | - | 3.X | |||
| 通道增益 | dB | 0 | - | 1 | |||
| 高低温增益波动 | dB | - | ±1 | - | |||
| 输入P-1 | dBm | -15 | - | - | |||
| 本振输入功率 | dBm | - | -6 | - | |||
| 射频输入端口本振泄露 | dBm | - | - | -30 | |||
| 中频输出端口本振泄露 | dBm | - | - | -40 | |||
| 输入输出驻波 | - | - | 1.6 | ||||
| 衰减位数（0.5dB步进） | Bit | - | 4 | - | |||
| 正电源电流 | mA | - | - | 160 | |||
| 负电源电流 | mA | - | 1 | - | |||
