该产品为S波段下变频模块,其内部内部集成放大器、混频器、数控衰减器、温补衰减器、驱动器等芯片,具有集成度高、体积小、重量轻、气密性好、可靠性高等特点。产品为陶瓷封装,使用时采用常规锡焊工艺。 可根据客户要求定制。 |
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产品特点 | 典型应用 | ||||||
• 细步进 | • 航空 | ||||||
• 低相噪 | • 机载 | ||||||
• 低杂散 |
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• 体积小 | |||||||
• 气密性好 | |||||||
• 可靠性高 | |||||||
电性能参数(TA=+25℃,Vdd=+5V,Vee=-5V) | |||||||
参数名称 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | |||
射频输入频率 | GHz | 2.XXX | - | 2.XXX | |||
中频输出频率 | MHz | 275 | - | 475 | |||
通道增益 | dB | 4 | - | - | |||
高低温增益波动 | dB | - | ±1 | - | |||
输入P-1 | dBm | -8 | - | - | |||
本振输入功率 | dBm | - | -6 | - | |||
射频输入端口本振泄露 | dBm | - | - | -40 | |||
中频输出端口本振泄露 | dBm | - | - | -15 | |||
输入输出驻波 | - | - | 1.6 | ||||
衰减位数(0.5dB步进) | Bit | - | 4 | - | |||
正电源电流 | mA | - | - | 170 | |||
负电源电流 | mA | - | 1 | - |