由于即使芯片下方的小气孔也会大大增加热阻，因此必须将其最小化，这需要经验、仔细的工艺控制和技术，例如在真空中进行芯片贴装。验证芯片连接对于确保正确的热传递也至关重要。莱尔微波通过扫描声学显微镜 (C-SAM) 来实现这一目标，该显微镜可识别芯片与散热器或基板之间的空隙。
功率放大器设计的非线性器件建模是另一个挑战；由于GaN是一种较新的技术，其模型还不太成熟。为了解决缺乏准确模型的问题，我们的设计工程师找到了自己的解决方案：
依靠测量的负载牵引数据来确定理想的输出阻抗匹配，以优化射频功率。
通过经验，调整仿真模型以提高针对特定设计条件的准确性。将测量的小信号 S 参数文件替换为非线性模型，以确认线性运算的类似结果。
莱尔微波掌握最新的固态功率放大器核心技术，包括宽带高效匹配、宽带线性化、高线性级联设计方法、宽带均衡器等技术和技巧。受益于这些先进技术，我们的产品具有高效率、高功率水平、高线性度和小占地面积。莱尔微波 SSPA 是目前使用行波管 (TWT) 放大器的应用的绝佳替代品。
因此，如果您正在努力从您的下一个高功率放大器 (HPA) 中获得绝对一流的输出功率以及优化的热效率和电效率，请知道我们致力于解决这些以及所有其他射频功率放大挑战你。
我们不仅通过最先进的集成射频功率放大器模块和子系统的全选来支持您当前的应用，而且还致力于支持您的遗留程序和定制设计要求。
